|
|
|
نانوکریستال ها- ترکیب، خصوصیات و کاربردها
چکیدهالیپزومتری مستقیما به اندازه گیری تغییرات پلاریزاسیون که از طریق انعکاس ایجاد می گردد، می پردازد. یعنی نسبت بازتاب پیچیده به صورت زیر تعریف می گردد......مقدمهالیپزومتری می تواند به اندازه گیری نانوکریستال به شکل لایه نازک بپردازد. مدل نوری شامل زیرلایه هایی با ویژگی های نوری معمولا شناخته شده می باشد ( برای نمونه سیلسکون تک کریستالی یا شیشه ای) و یک یا چند لایه نازک حاوی نانوکریستال ها می باشد. اطلاعات مورد نیاز برای محاسبه زوایای الیپزومتریک Y و A ( که در عوض در مقایسه با زوایای اندازه گیری شده قرار می گیرد) به عنوان زاویه رویداد، ضخامت لایه، و شاخص بازتاب پیچیده هر واسطه می باشد......
:: برچسب‌ها:
نانوکریستال ,
خصوصیات ,
الیپزومتر ,
پلاریزاسیون ,
مقاله انگلیسی فیزیک با ترجمه فارسی ,
مقاله انگلیسی فیزیک با ترجمه ,
مقاله انگلیسی فیزیک ,
Nanocrystals ,
Synthesis ,
Characterization ,
Applications ,
:: بازدید از این مطلب : 52
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : سه شنبه 21 خرداد 1395 |
نظرات ()
|
|
تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده
چکیده__در این مقاله، ما یک اینورتر CMOS غیر-معمولی ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال (JL) و یک ترانزیستور را با فرآیند ساده و چگالی بالای مدار مجتمع، ارایه می دهیم. در اینورتر CMOS غیر-معمولی، به ترتیب، NMOSFET JL به عنوان تحریک و ترانزیستور به عنوان یک بار، عمل می کند. ما بنابر اطلاعات اندازه گیری شده ی ترانزیستور ، خط بار اینورتر CMOS را ترسیم کرده و دریافتیم که ترانزیستور می تواند در مدارات CMOS به منظور بهبود مسایل مربوط به CMOS های مرسوم امروزی، استفاده شود. به علاوه، کاهش سطح 46.1% نیز دست اور دیگر ما است.
:: برچسب‌ها:
CMOS ,
NMOSFET ,
اینورتر ,
ترانزیستور کنترل شده ,
ترانزیستور ,
Characterization ,
Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed ,
Junctionless NMOSFET ,
Gated N+ ,
N- ,
P Transistor ,
مقاله انگلیسی برق ,
مقاله انگلیسی برق با ترجمه ,
مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی ,
مقاله انگلیسی برق و الکترونیک ,
:: بازدید از این مطلب : 79
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : دو شنبه 28 مرداد 1395 |
نظرات ()
|
|
توصیف نانوکریستال ها- با استفاده از الیپسومتری طیف نما
1. مقدمهاولین کاربرد الیپسومتری برای اندازه گیری پوشش های نازک پلی- و نانوکریستال به دهه ها پیش بر می گردد. مهمترین گام در مسیر تحقیقات الیپسومتری پوشش های نازک کامپوزیت، شناخت اولین الیپسومتری طیف نما در دهه 70 بوده است [3, 4, 8]، که امکان اندازه گیری نقش دی الکتریک را امکان پذیر ساخت، که جزء انگاری آن مستقیما در ارتباط با حساسیت وضعیت چگالی مشترک الکترونیک بوده که بستگی به تغییرات ساختار کریستال دارد. اولین مدل ها بر مبنای روش میانگین موثر با استفاده از عوامل سارنده توابع دی الکتریک [5] بوده، درحالیکه بخش حجیمی از موئلفه ها در ارتباط با ویژگی های کریستال با پوشش نازک می باشند. این روش بر مبنای نیرومندی اش، محبوب می باشد.
:: برچسب‌ها:
نانوکریستال ,
الیپسومتری طیف نما ,
الیپسومتری ,
وضعیت چگالی ,
مقاله انگلیسی فیزیک با ترجمه فارسی ,
مقاله انگلیسی فیزیک با ترجمه ,
مقاله انگلیسی فیزیک ,
Characterization ,
Nanocrystals ,
Spectroscopic Ellipsometry ,
:: بازدید از این مطلب : 104
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : شنبه 15 خرداد 1395 |
نظرات ()
|
|
صفحه قبل 2 3 4 5 ... 6341 صفحه بعد
|
|
|
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
