فناوری نانو یا نانو تکنولوژی رشته‌ای از دانش کاربردی و فناوری است که شاخه های گسترده‌ای را پوشش می‌دهد. موضوع اصلی آن نیز مهار ماده یا دستگاه‌های در ابعاد کمتر از یک میکرومتر، معمولاً حدود ۱ تا ۱۰۰ نانو متر است. در واقع نانو تکنولوژی فهم و به کارگیری خواص جدیدی از مواد و سیستمهایی در این ابعاد است که اثرات فیزیکی جدیدی عمدتا متاثر از غلبه خواص کوانتومی بر خواص کلاسیک از خود نشان می‌دهند.
نانوفناوری یک دانش به شدت میان‌رشته‌ای است و به رشته‌هایی چون پزشکی، دامپزشکی، زیست شناسی، فیزیک کاربردی، مهندسی مواد، ابزارهای نیم رسانا، شیمی ابرمولکول و حتی مهندسی مکانیک، مهندسی برق و مهندسی شیمی نیز مربوط می‌شود. نانو تکنولوژی می‌تواند به عنوان ادامهٔ دانش کنونی به ابعاد نانو یا طرح‌ریزی دانش کنونی بر پایه‌هایی جدیدتر و امروزی‌تر باشد. می‌توان موردهای زیر را شاخه‌های بنیادین دانش نانوفناوری دانست:
نانو روکش هانانو موادنانو پودرهانانو لوله ها (نانو تیوب‌ها)نانو کامپوزیت‌هامهندسی مولکولیموتورهای مولکولی(نانو ماشین‌ها)نانو الکترونیکنانو سیم‌هاDNA نانوسیم هانانو حسگرهانانو ترانزیستورها
این جزوه شامل بخش های زیر می باشد:مروری بر مکانیک کوانتومیرابطه انرژی و طول موجخاصیت دوگانگی موج - ذره الکترون در فضای آزادخاصیت موج - ذرهابزار های اندازه گیری در کوانتوممعادله شرودینگرمعادله شرودینگر مستقل از زمانمعادله شرودینگر وابسته به زماناندازه حرکت الکترونتابع موجچاه بی نهایتحل معادله شرودینگر به روش تفاضل متناهیبدست آوردن جریان از تابع موجچاه محدودبررسی رفتار الکترونبررسی رفتار الکترون وقتی مقید نیستتونل زنی دیود تونلیبررسی ساختار بالک (BULK)، چاه کوانتومی (Quantum Well)، سیم (Wire) و نقطه (Dot)نانو لوله کربنی و نانوسیم نیمه هادیمهندسی کرنش (Strain Engineering)ادوات نانو الکترونیکانواع ترانزیستور های اثرمیدانی نانوسیم نیمه هادیترانزیستورهای اثر میدان نانوسیم نیمه هادی ناهمگون (هسته - پوشش)ساختار نوار انرژی نانوسیمنانوسیم سیلیکونی Si-NWترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنیشبیه سازیشبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم نیمه هادی (نانولوله کربنی) بر اساس مدل بالستیکمدل CNTFETفلوچارت روش Self Consistentبدست آوردن شیب زیر آستانه، SS، منحنی جریان ولتاژ، منحنی Ion/Ioff، نسبت SSبه d و...بررسی مدلسازی اثر دمای محیط بر NWFETبررسی مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET
برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.
:: برچسب‌ها:
NWFET ,
CNTFET ,
نانولوله کربنی ,
چاه کوانتومی ,
مهندسی کرنش ,
شرودینگر ,
تفاضل متناهی ,
:: بازدید از این مطلب : 115
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
در سال 1965 آقای مور پیش بینی کرد که تعداد ترانزیستور های روی یک تراشه هر دو سال یکبار دو برابر می شود. اما این کاهش ابعاد ترانزیستور ها به زودی به پایان خواهد رسید. به عنوان مثال بخش هایی از ترانزیستورها تنها به اندازه چند اتم ضخامت دارند. بنابراین وقتی ابعاد این بخش ها به یک یا دو اتم برسند کاهش ابعاد ترانزیستورها متوقف خواهد شد. بنابراین ناچاریم به یک فناوری جدید به نام فناوری نانو رو بیاوریم. کوچک سازی ابعاد همچنین می تواند سبب کوچک تر شدن ابعاد مدارات، قیمت پایین تر، سرعت بالا تر و توان مصرفی پایین تر شود. پیش بینی ها توسط ITRS نشان می دهد که کوچک سازی CMOS ها در حدود سال 2018 با رسید به عرض کانال 20nm به پایان خواهد رسید. بزرگترین مشکل برای کاهش ابعاد ترانزیستورها، مسائل اقتصادی مربوط به آنهاست. با وجودیکه این فرایند امکان ساخت مدارات و سیستم های قابل اطمینان را به ما می دهد، کاهش ابعاد، تولید ماسک های قابل اطمینان را بسیار گران می کند. به هر حال دو مشکل اساسی وجود دارند که نیاز به حل آنهاست. اول هزینه های سرسام آور و دوم محدودیت های اندازه فیزیکی. راه حل این مشکلات استفاده از فناوری نانو است. بطور مثال سیم ها، دیودها و ترانزیستور ها و... می توانند با این تکنولوژی کوچک سازی شوند. 
