|
|
|
:: برچسب‌ها:
عنوان ,
: ,
ذخیره ,
سازی ,
کربن ,
آلی ,
و ,
ترسیب ,
آن ,
در ,
پروفیلهای ,
خاک ,
مرتعی)افقهای ,
سطحی ,
و ,
عمیق( ,
استان ,
البرز ,
)منطقه ,
:: بازدید از این مطلب : 72
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : چهار شنبه 24 تير 1395 |
نظرات ()
|
|
تحلیل کامل جذب سطحی ترکیبات آروماتیک شامل بنزن، فنول، تولوئن، کلروبنزن و نیتروبنزن در محلول های آبی بر دو جاذب کربن فعال پودری و دانه ای
:: برچسب‌ها:
جذب ,
سطحی ,
ترکیبات ,
بنزنی ,
بر ,
جاذب ,
کربن ,
:: بازدید از این مطلب : 75
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : سه شنبه 2 تير 1395 |
نظرات ()
|
|
تاریخ انتشار : سه شنبه 23 ارديبهشت 1395 |
نظرات ()
|
|
پاور پوینتچگونگی تاثیر کربن دی اکسید بر زمین 11 اسلاید
:: برچسب‌ها:
پاورپوینت ,
چگونگی ,
تاثیر ,
افزایش ,
کربن ,
دی ,
اکسید ,
بر ,
کره ,
:: بازدید از این مطلب : 107
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : سه شنبه 30 فروردين 1395 |
نظرات ()
|
|
مزیت کارایی مورد انتظار در یک CNTFET در افزاره
واقعی بنظر می آید که قابل دستیابی نباشد و به اندازه کافی برای CV/I پایین بیاید(6
برابر برای nFET
و 14 برابر برای pFET)
براساس شرایط غیر ایده آل افزاره/مدار. این شرایط غیر ایده آل شامل مقاومت سری
نواحی سورس/درین ناخالص سازی شده ، مقاومت سد شاتکی (SB) در واسطه ی
فلز/CNT ، خازن لبه
خارجی گیت و خازن اتصالات داخلی. به هر حال نیاز ها برای توان مصرفی کمتر و فرکانس
کاری بالاتر در هندسه افزاره و مقیاس بندی تغذیه
با یک افزایش مناسب در دمای کایر برای افزاره نتیجه می شود.
در این تحقیق سعی داریم ساختار جدید برای جمع کننده ها ارائه که دهیم که مبتنی
برانزیستورها ی کربن نانوتیوب هستند. همچنین بهبودی های حاصله را با مدارهای جمع
کننده ی موجود در تکنولوژی CMOS مقایسه نماییم. چون زمینه ی
ترانزیستورهای کربن نانوتیوب از جدید ترین تکنولوژی های تحقیقاتی است لذا تحقیق در
مور مدار های آنالوگ و دیجیتال مبتنی بر این ترانزیستورها کم انجام گردیده است. در
سال 2010 گروهی تحقیقاتی در دانشگاه شهید بهشتی با سرپرستی دکتر کیوان ناوی اولین نمونه
از جمع کننده ار ارائه دادند. این جمع کننده ساختار ساده ای داشته که فقط از خازن
و معکوس گر در ساختارش استفاده شده است. از طرف دیگر در سرعت و توان-تاخیر بهبودی
حاصل شده است. در سال 2011 محققان دانشگاه آزاد اسلامی نیز نمونه ی دیگری از این
کارها را ارائه نمودند. در این تحقیق مسئله ولتاژ آستانه ترانزیستورهای کربن
نانوتیوب با استفاده از گیت های معکوس کننده حل گردیده است. در سال 2012 نمونه ای
ارائه شد که یک تمام جمع کننده ی دینامیک بود از طرف دیگر ولتاژ آستانه
ترانزیستورها سه نوع مختلف انتخاب گردید.
:: برچسب‌ها:
پورپوزال ,
کامل ,
طراحی ,
مدار ,
جمع ,
کننده ,
مبتنی ,
بر ,
ترانزیستورهای ,
کربن ,
:: بازدید از این مطلب : 135
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : دو شنبه 15 تير 1395 |
نظرات ()
|
|
:: برچسب‌ها:
«ذخیره ,
سازی ,
کربن ,
آلی ,
و ,
ترسیب ,
آن ,
در ,
پروفیل ,
های ,
خاک ,
مرتعی( ,
افقهای ,
سطحی ,
و ,
عمیق ,
) ,
استان ,
البرز ,
( ,
منطقه ,
اشتهارد ,
) ,
:: بازدید از این مطلب : 143
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : دو شنبه 23 ارديبهشت 1395 |
نظرات ()
|
|
:: برچسب‌ها:
«ذخیره ,
سازی ,
کربن ,
آلی ,
و ,
ترسیب ,
آن ,
در ,
پروفیل ,
های ,
خاک ,
مرتعی( ,
افقهای ,
سطحی ,
و ,
عمیق ,
) ,
استان ,
البرز ,
( ,
منطقه ,
اشتهارد ,
) ,
:: بازدید از این مطلب : 33
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : دو شنبه 2 مرداد 1395 |
نظرات ()
|
|
---
:: برچسب‌ها:
درباره ,
چگونگی ,
تأثیر ,
افزایش ,
کربن ,
دی ,
اکسید ,
روی ,
دمای ,
کره ,
:: بازدید از این مطلب : 148
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : شنبه 26 خرداد 1395 |
نظرات ()
|
|
صفحه قبل 2 3 4 5 ... 6341 صفحه بعد
|
|
|
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
